BSI（Backside illumination、裏面照射）技術を採用したCMOSセンサーです。

従来のCMOS（表面照射型）センサーは表面の光を集めるためのオンチップレンズ、カラーフィルタ、配線層そして、最下層のフォトダイオードの４層構造になっています。しかし、この構造の場合、オンチップレンズからの光は配線層を通過する際に一部の光が配線層に当たって反射しまうなど、すべての光がフォトダイオードまで到達しにくくなっていました。今回のB.S.I. CMOSセンサーはこの配線層とフォトダイオードの位置を逆転させ、光を効率よく取り込む事を可能としました。